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Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika - Kristian Hafkemeyer
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Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika - Livro de bolso

2011, ISBN: 3832527915

Paperback, [EAN: 9783832527914], Logos Verlag Berlin, Logos Verlag Berlin, Book, [PU: Logos Verlag Berlin], 2011-02-23, Logos Verlag Berlin, Diese Arbeit beschreibt experimentelle und ato… mais…

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Dados bibliográficos do melhor livro correspondente

Pormenores referentes ao livro
Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Autor:
Título:
Número ISBN:

9783832527914


Diese Arbeit beschreibt experimentelle und atomistische Simulationen zur Zuverlassigkeitsanalyse von integrierten MOS-Transistoren in einer 130nm CMOS-Technologie. Eine Teststruktur mit mehr als 1.024 Einzelelementen zur automatischen Erhebung einer grossen Statistik bezuglich der Analogeigenschaften der Transistoren wurde hergestellt. Zusatzlich zu den elektrischen Analysen des Transistors wurden atomistische Modelle des Dielektrikums aufgebaut, um mittels quantenchemischen Simulationen die Degradation naher zu untersuchen und die Simulationsdaten mit dem Experiment zu vergleichen.

Dados detalhados do livro - Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika


EAN (ISBN-13): 9783832527914
ISBN (ISBN-10): 3832527915
Livro de bolso
Ano de publicação: 2011
Editor/Editora: Logos Verlag Berlin

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Número ISBN/EAN: 9783832527914

Número ISBN - Ortografia alternativa:
3-8325-2791-5, 978-3-8325-2791-4
Ortografia alternativa e termos de pesquisa relacionados:
Autor do livro: hafkemeyer

Dados da editora

Autor: Kristian Hafkemeyer
Título: Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Editora: Logos Berlin
Ano de publicação: 2011-02-23
Língua: Alemão
36,50 € (DE)
37,50 € (AT)
Not available, publisher indicates OP

BC; PB; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik, Nachrichtentechnik; Elektrotechnik, Elektronik; Degradation; MOS-FET; Gatedielektrika; CMOS; Matrix-Teststrukturen; 2010; TU Hamburg-Harburg

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