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Inside NAND Flash Memories Rino Micheloni Author
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Inside NAND Flash Memories Rino Micheloni Author - nuovo livro

ISBN: 9789048194315

Digital photography, MP3, digital video, etc. make extensive use of NAND-based Flash cards as storage media. To realize how much NAND Flash memories pervade every aspect of our life, just… mais…

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Inside NAND Flash Memories
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no/na Springer.com
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Inside NAND Flash Memories - nuovo livro

ISBN: 9789048194315

Digital photography, MP3, digital video, etc. make extensive use of NAND-based Flash cards as storage media. To realize how much NAND Flash memories pervade every aspect of our life, just… mais…

Nr. 978-90-481-9431-5. Custos de envio:Worldwide free shipping, , DE. (EUR 0.00)
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Inside NAND Flash Memories - Karuna Sampath
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Karuna Sampath:
Inside NAND Flash Memories - nuovo livro

ISBN: 9789048194315

Here is a comprehensive guide of the NAND world: from circuits design to Flash reliability (including radiation effects), from testing issues to high-performance (DDR) interface, from err… mais…

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Inside NAND Flash Memories - Rino Micheloni/ Luca Crippa/ Alessia Marelli
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Rino Micheloni/ Luca Crippa/ Alessia Marelli:
Inside NAND Flash Memories - nuovo livro

ISBN: 9789048194315

*Inside NAND Flash Memories* / pdf eBook für 223.49 € / Aus dem Bereich: eBooks, Fachthemen & Wissenschaft, Wissenschaften, allgemein Medien > Bücher nein eBook als pdf eBooks > Fachtheme… mais…

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Inside NAND Flash Memories - Rino Micheloni/ Luca Crippa/ Alessia Marelli
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Rino Micheloni/ Luca Crippa/ Alessia Marelli:
Inside NAND Flash Memories - nuovo livro

ISBN: 9789048194315

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Dados bibliográficos do melhor livro correspondente

Pormenores referentes ao livro

Dados detalhados do livro - Inside NAND Flash Memories Rino Micheloni Author


EAN (ISBN-13): 9789048194315
ISBN (ISBN-10): 9048194318
Ano de publicação: 2010
Editor/Editora: Springer-Verlag New York, LLC Digital >16
600 Páginas
Língua: eng/Englisch

Livro na base de dados desde 2011-08-02T05:12:37-03:00 (Sao Paulo)
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Número ISBN/EAN: 9789048194315

Número ISBN - Ortografia alternativa:
90-481-9431-8, 978-90-481-9431-5
Ortografia alternativa e termos de pesquisa relacionados:
Autor do livro: luca crippa, marelli
Título do livro: flash, inside outside, look inside, memories


Dados da editora

Autor: Rino Micheloni; Luca Crippa; Alessia Marelli
Título: Inside NAND Flash Memories
Editora: Springer; Springer Netherland
582 Páginas
Ano de publicação: 2010-07-27
Dordrecht; NL
Língua: Inglês
234,33 € (DE)
240,90 € (AT)
271,50 CHF (CH)
Available
X, 582 p.

EA; E107; eBook; Nonbooks, PBS / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Schaltkreise und Komponenten (Bauteile); Verstehen; Electronic Devices; Flash Memories; NAND Memories; Solid State Circuits; integrated circuit; single-electron transistor; static-induction transistor; C; Electronic Circuits and Systems; Mass Spectrometry; Condensed Matter Physics; Spectroscopy; Engineering; Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); BC

Preface. Acknowledgements. 1 Market and applications for NAND flash memories; Gregory Wong. 2 NAND overview: from memory to systems; R. Micheloni, A. Marelli and S. Commodaro. 3 Program and erase of NAND memory arrays; Cristoph Friederich. 4 Reliability issues of NAND flash memories; C. Zambelli, A. Chimenton and P. Olivo. 5 Charge trap NAND technologies ; Alessandro Grossi. 6 Control logic; A. Marelli, R. Micheloni and R. Ravasio. 7 NAND DDR interface; Andrea Silvagni. 8 Sensing circuits; L. Crippa and R. Micheloni. 9 Parasitic effects and verify circuits; L. Crippa and R. Micheloni. 10 MLC storage; L. Crippa and R. Micheloni. 11 Charge pumps, voltage regulators and HV switches; R. Micheloni and L. Crippa. 12 High voltage overview; R. Micheloni and A. Marelli. 13 Redundancy; A. Marelli and R. Micheloni . 14 Error correction codes; T. Zhang, A. Marelli and R. Micheloni. 15 NAND design for testability and testing; Andrea Silvagni. 16 XLC storage; R. Micheloni and L. Crippa. 17 Flash cards; A. Ghilardelli and S. Corno. 18 Low power 3D-integrated SSD; K. Takeuchi. 19 Radiation effects on NAND Flash memories; M. Bagatin, G. Cellere, S. Gerardin and A. Paccagnella. About the authors. Index.
Flash NAND design NAND – SSD co-development Radiation effects on Flash memories Charge trap technology overview Includes supplementary material: sn.pub/extras

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