[EAN: 9783841789563], Neubuch, [PU: Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012], This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - En se basant sur le modèle des bandes d é… mais…
[EAN: 9783841789563], Neubuch, [PU: Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012], This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - En se basant sur le modèle des bandes d énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. 160 pp. Französisch<
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AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germany [51283250] [Rating: 5 (von 5)] NEW BOOK. Custos de envio:Versandkostenfrei. (EUR 0.00) Details...
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En se basant sur le modèle des bandes d'énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. Buch (fremdspr.) Abdelkader Touhami Taschenbuch, Éditions universitaires européennes, 06.02.2012, Éditions universitaires européennes, 2012<
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[EAN: 9783841789563], Neubuch, [PU: Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012], This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - En se basant sur le modèle des bandes d énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. 160 pp. Französisch<
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En se basant sur le modèle des bandes d'énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. Buch (fremdspr.) Abdelkader Touhami Taschenbuch, Éditions universitaires européennes, 06.02.2012, Éditions universitaires européennes, 2012<
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Dados bibliográficos do melhor livro correspondente
Dados detalhados do livro - Modélisation du courant drain induit par la grille
EAN (ISBN-13): 9783841789563 ISBN (ISBN-10): 3841789560 Livro de capa dura Livro de bolso Ano de publicação: 2012 Editor/Editora: Editions Universitaires Europeennes
Livro na base de dados desde 2008-06-20T19:08:58-03:00 (Sao Paulo) Página de detalhes modificada pela última vez em 2022-06-18T07:07:56-03:00 (Sao Paulo) Número ISBN/EAN: 3841789560
Número ISBN - Ortografia alternativa: 3-8417-8956-0, 978-3-8417-8956-3 Ortografia alternativa e termos de pesquisa relacionados: Título do livro: grill
