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The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation - Jacoboni, Carlo; Lugli, Paolo
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Jacoboni, Carlo; Lugli, Paolo:

The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation - Livro de bolso

2011, ISBN: 3709174538

Softcover reprint of the original 1st ed. 1989 Kartoniert / Broschiert Elektronik / Halbleiter, Halbleiter, Leitung (physikalisch) / Halbleiter, Materialwissenschaft / Aggregatzustände,… mais…

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The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation - Lugli, Paolo; Jacoboni, Carlo
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Lugli, Paolo; Jacoboni, Carlo:

The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation - Livro de bolso

2011, ISBN: 3709174538

Softcover reprint of the original 1st ed. 1989 Kartoniert / Broschiert Elektronik / Halbleiter, Halbleiter, Leitung (physikalisch) / Halbleiter, Elektronik, Schaltkreise und Komponenten… mais…

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The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation - Carlo Jacoboni/ Paolo Lugli
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The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation - Livro de bolso

ISBN: 3709174538

The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation ab 170.99 € als Taschenbuch: Softcover reprint of the original 1st ed. 1989. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Technik, Med… mais…

Nr. 21351664. Custos de envio:, , DE. (EUR 0.00)
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The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation - Livro de bolso

2011, ISBN: 9783709174531

Buch, Softcover, Softcover reprint of the original 1st ed. 1989, [PU: Springer Wien], Springer Wien, 2011

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The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation - Carlo Jacoboni, Paolo Lugli
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Carlo Jacoboni, Paolo Lugli:
The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation - Livro de bolso

ISBN: 9783709174531

paperback

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Dados bibliográficos do melhor livro correspondente

Pormenores referentes ao livro
The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation
Autor:
Título:
Número ISBN:

9783709174531

Dados detalhados do livro - The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation


EAN (ISBN-13): 9783709174531
ISBN (ISBN-10): 3709174538
Livro de capa dura
Livro de bolso
Ano de publicação: 2013
Editor/Editora: Springer Wien

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Número ISBN/EAN: 9783709174531

Número ISBN - Ortografia alternativa:
3-7091-7453-8, 978-3-7091-7453-1
Ortografia alternativa e termos de pesquisa relacionados:
Autor do livro: carlo, lugli
Título do livro: monte carlo simulation, method, microelectronics, due

Dados da editora

Autor: Carlo Jacoboni; Paolo Lugli
Título: Computational Microelectronics; The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation
Editora: Springer; Springer Wien
359 Páginas
Ano de publicação: 2011-10-05
Vienna
Impresso / Feito em
Língua: Inglês
160,49 € (DE)
164,99 € (AT)
177,00 CHF (CH)
POD
X, 359 p.

BC; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Schaltkreise und Komponenten (Bauteile); Verstehen; Transistor; Transport; field-effect transistor; heterojunction bipolar transistor; integrated circuit; ion-sensitive field effect transistor; metal insulator semiconductur field-effect transistor; metal oxide semiconductur field-effect transistor; metal semiconductor field-effect transistor; micro-alloy transistor, MAT; physics; simulation; Electronic Circuits and Systems; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Computer Modelling; Condensed Matter Physics; Computational Intelligence; Elektronik; Computermodellierung und -simulation; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); Künstliche Intelligenz; BB; EA

1 Introduction.- References.- 2 Charge Transport in Semiconductors.- 2.1 Electron Dynamics.- 2.2 Energy Bands.- 2.3 Scattering Mechanisms.- 2.4 Scattering Probabilities.- 2.5 Transport Equation.- 2.6 Linear Response and the Relaxation Time Approximation.- 2.7 Diffusion, Noise, and Velocity Autocorrelation Function.- 2.8 Hot Electrons.- 2.9 Transient Transport.- 2.10 The Two-dimensional Electron Gas.- References.- 3 The Monte Carlo Simulation.- 3.1 Fundamentals.- 3.2 Definition of the Physical System.- 3.3 Initial Conditions.- 3.4 The Free Flight, Self Scattering.- 3.5 The Scattering Process.- 3.6 The Choice of the State After Scattering.- 3.7 Collection of Results for Steady-State Phenomena.- 3.8 The Ensemble Monte Carlo (EMC).- 3.9 Many Particle Effects.- 3.10 Monte Carlo Simulation of the 2DEG.- 3.11 Special Topics.- 3.12 Variance-reducing Techniques.- 3.13 Comparison with Other Techniques.- References.- 4 Review of Semiconductor Devices.- 4.1 Introduction.- 4.2 Historical Evolution of Semiconductor Devices.- 4.3 Physical Basis of Semiconductor Devices.- 4.4 Comparison of Semiconductor Devices.- References.- 5 Monte Carlo Simulation of Semiconductor Devices.- 5.1 Introduction.- 5.2 Geometry of the System.- 5.3 Particle-Mesh Force Calculation.- 5.4 Poisson Solver and Field Distribution.- 5.5 The Monte Carlo Simulation of Semiconductor Devices.- References.- 6 Applications.- 6.1 Introduction.- 6.2 Diodes.- 6.3 MESFET.- 6.4 HEMT and Heterojunction Real Space Transfer Devices.- 6.5 Bipolar Transistor.- 6.6 HBT.- 6.7 MOSFET and MISFET.- 6.8 Hot Electron Transistors.- 6.9 Permeable Base Transistor.- 6.10 Comparison with Traditional Simulators.- References.- Appendix A. Numerical Evaluation of Some Integrals of Interest.- References.- Appendix B. Generation of Random Numbers.- References.
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