2016, ISBN: 9783954043170

[ED: Taschenbuch], [PU: Cuvillier], Neuware - Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stoßionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende E… mais…

[ED: Taschenbuch], [PU: Cuvillier], Neuware - Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stoßionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende Effekte auf. Diese können zur Entwicklung neuer Bauelementkonzepte verwendet werden, wovon hier der Tunneltransistor (TFET) und der Stoßionisationstransistor (IMOS) vorgestellt werden.Der Tunneltransistor zeigt eine gute Toleranz gegen Fluktuationen der Kanallänge und gegen Änderungen der Temperatur, erfordert jedoch eine Optimierung des On-Stroms. Hierfür werden drei mögliche Konzepte vorgestellt. Als vielversprechend haben sich dabei das Band-Gap-Engineering mit SiGe-Heterostrukturen sowie die Verwendung hochkapazitiver Dielektrika gezeigt.Der Stoßionisationstransistor zeigt ein schnelles Einschaltverhalten und gute Stabilität bei hoher Temperatur. Bei Tieftemperatur zeigen sich strukturierte Kennlinien, für welche zwei neue Erklärungsansätze vorgestellt werden. Außerdem wird die Eignung des Bauelements als optischer Detektor untersucht und bestätigt.Zur Untersuchung der vorgestellten Bauelementkonzepte wurden experimentell hergestellte vertikale Transistoren sowie die Simulationssoftware Taurus Medici verwendet. Die Grundlagen dazu werden deshalb in einem eigenen Kapitel zusammenfassend erläutert.- Besorgungstitel - vorauss. Lieferzeit 3-5 Tage., DE, [SC: 2.40], Neuware, gewerbliches Angebot, 210x148x11 mm, 218, [GW: 289g], Banküberweisung, Offene Rechnung, Kreditkarte, PayPal, Offene Rechnung (Vorkasse vorbehalten), Internationaler Versand<

ISBN: 9783954043170

Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stossionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende Effekte auf. Diese können zur Entwicklung neue… mais…

Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stossionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende Effekte auf. Diese können zur Entwicklung neuer Bauelementkonzepte verwendet werden, wovon hier der Tunneltransistor (TFET) und der Stossionisationstransistor (IMOS) vorgestellt werden. Der Tunneltransistor zeigt eine gute Toleranz gegen Fluktuationen der Kanallänge und gegen Änderungen der Temperatur, erfordert jedoch eine Optimierung des On-Stroms. Hierfür werden drei mögliche Konzepte vorgestellt. Als vielversprechend haben sich dabei das Band-Gap-Engineering mit SiGe-Heterostrukturen sowie die Verwendung hochkapazitiver Dielektrika gezeigt. Der Stossionisationstransistor zeigt ein schnelles Einschaltverhalten und gute Stabilität bei hoher Temperatur. Bei Tieftemperatur zeigen sich strukturierte Kennlinien, für welche zwei neue Erklärungsansätze vorgestellt werden. Ausserdem wird die Eignung des Bauelements als optischer Detektor untersucht und bestätigt. Zur Untersuchung der vorgestellten Bauelementkonzepte wurden experimentell hergestellte vertikale Transistoren sowie die Simulationssoftware Taurus Medici verwendet. Die Grundlagen dazu werden deshalb in einem eigenen Kapitel zusammenfassend erläutert. Bücher > Sachbücher > Naturwissenschaften & Technik > Physik 21.0 cm x 14.8 cm x 1.1 cm mm , Cuvillier Verlag, Taschenbuch, Cuvillier Verlag<

ISBN: 3954043173

[EAN: 9783954043170], Neubuch, [PU: Cuvillier], nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten S… mais…

[EAN: 9783954043170], Neubuch, [PU: Cuvillier], nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stoßionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende Effekte auf. Diese können zur Entwicklung neuer Bauelementkonzepte verwendet werden, wovon hier der Tunneltransistor (TFET) und der Stoßionisationstransistor (IMOS) vorgestellt werden.Der Tunneltransistor zeigt eine gute Toleranz gegen Fluktuationen der Kanallänge und gegen Änderungen der Temperatur, erfordert jedoch eine Optimierung des On-Stroms. Hierfür werden drei mögliche Konzepte vorgestellt. Als vielversprechend haben sich dabei das Band-Gap-Engineering mit SiGe-Heterostrukturen sowie die Verwendung hochkapazitiver Dielektrika gezeigt.Der Stoßionisationstransistor zeigt ein schnelles Einschaltverhalten und gute Stabilität bei hoher Temperatur. Bei Tieftemperatur zeigen sich strukturierte Kennlinien, für welche zwei neue Erklärungsansätze vorgestellt werden. Außerdem wird die Eignung des Bauelements als optischer Detektor untersucht und bestätigt.Zur Untersuchung der vorgestellten Bauelementkonzepte wurden experimentell hergestellte vertikale Transistoren sowie die Simulationssoftware Taurus Medici verwendet. Die Grundlagen dazu werden deshalb in einem eigenen Kapitel zusammenfassend erläutert. 218 pp. Deutsch, Books<

ISBN: 9783954043170

Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stoßionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende Effekte auf. Diese können zur Entwicklung neuer… mais…

Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stoßionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende Effekte auf. Diese können zur Entwicklung neuer Bauelementkonzepte verwendet werden, wovon hier der Tunneltransistor (TFET) und der Stoßionisationstransistor (IMOS) vorgestellt werden. Der Tunneltransistor zeigt eine gute Toleranz gegen Fluktuationen der Kanallänge und gegen Änderungen der Temperatur, erfordert jedoch eine Optimierung des On-Stroms. Hierfür werden drei mögliche Konzepte vorgestellt. Als vielversprechend haben sich dabei das Band-Gap-Engineering mit SiGe-Heterostrukturen sowie die Verwendung hochkapazitiver Dielektrika gezeigt. Der Stoßionisationstransistor zeigt ein schnelles Einschaltverhalten und gute Stabilität bei hoher Temperatur. Bei Tieftemperatur zeigen sich strukturierte Kennlinien, für welche zwei neue Erklärungsansätze vorgestellt werden. Außerdem wird die Eignung des Bauelements als optischer Detektor untersucht und bestätigt. Zur Untersuchung der vorgestellten Bauelementkonzepte wurden experimentell hergestellte vertikale Transistoren sowie die Simulationssoftware Taurus Medici verwendet. Die Grundlagen dazu werden deshalb in einem eigenen Kapitel zusammenfassend erläutert. Buch 21.0 x 14.8 x 1.1 cm , Cuvillier Verlag, Martin Schlosser, Cuvillier Verlag, Sch<

2013, ISBN: 9783954043170

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Cuvillier Verlag, Taschenbuch, Auflage: 1., 218 Seiten, Publiziert: 2013-01-16T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, 0.69 kg, Astronomie, Naturwissenschaften & Technik, Kategorien, Bücher, Phys… mais…

Cuvillier Verlag, Taschenbuch, Auflage: 1., 218 Seiten, Publiziert: 2013-01-16T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, 0.69 kg, Astronomie, Naturwissenschaften & Technik, Kategorien, Bücher, Physik, Cuvillier Verlag, 2013<